גלאי צילום מאוזן סדרת ROF -BPR בעל רגישות גבוהה Photodetector Si Photodetector
תכונה
⚫ טווח ספקטרלי: 320-1000、850-1650nm
⚫ רוחב פס של 3dB 200MHz
⚫ רעש נמוך
⚫ רווח גבוה
⚫ ספק כוח DC 15V
יישום
⚫זיהוי הטרודין
⚫ מדידת השהיה אופטית
⚫ מערכת חישת סיבים אופטיים
⚫（אוקטובר）
פרמטרים
פרמטרים של ביצועים
| סוג פרמטר | ROF-BPR-200M-A | ROF-BPR-200M-B |
| טווח תגובה ספקטרלי | 850 ~ 1650 ננומטר | 320 ~ 1000 ננומטר |
| סוג החומר | InGaAs | Si |
| קלט אור | ||
| היענות | 0.9A/W@1550nm | 0.5A/W@700nm |
| רוחב פס של 3dB | DC-200MHz | DC-200MHz |
| זמן עלייה | 1.5 שניות | 1.5 שניות |
| CMRR | >20dB | >20dB |
| קבל פלט @RF | 1.1×104V/W | 0.6×104V/W |
| כוח שווה ערך לרעש | 7pw/√Hz | 14pw/√Hz |
| הספק אופטי רווי @RF פלט | -5dBm | -2dBm |
| ספק כוח | DC ±12V | |
| אוגן קלט | FC | |
| מחבר פלט | SMA | |
| עכבת מוצא | 50 | |
| שיטת צימוד פלט | AC | |
| הספק אופטי כניסה מקסימלי | 10mW | |
| טמפרטורת פעולה | 0-40℃ | |
| טמפרטורת אחסון | -40~85℃ | |
| ממדים | 78 x 68 x 45 מ"מ | |
| דֶגֶם | טווח אורכי גל | רוחב פס של 3dB | רגישות dBm | הרווח V/W | CMRR dB | מחבר פלט |
| BPR-40G-A | 1480-1620 ננומטר | 37GHz | -10 | 1200 | ＞25 | K |
| BPD-10G-A | 1064-1650 ננומטר | 15K-10GHz | -15 | 40 | ||
| BPR-1.6GA | 850-1700 ננומטר | 0.3-1.6GHz | -27 | 14K | SMA(f) | |
| BPR-350M-A | 850-1700 ננומטר | 350 מגה-הרץ | -27 | 30K | ||
| BPR-350M-B | 320-1100 ננומטר | -30 | 15K | |||
| BPR-200M-A | 850-1700 ננומטר | 200 מגה-הרץ | -33 | |||
| BPR-200M-B | 320-1100 ננומטר | -30 | ||||
| BPR-80M-A | 850-1700 ננומטר | 80 מגה-הרץ | -38 | |||
| BPR-80M-B | 320-1100 ננומטר | -35 |
עֲקוּמָה
עקומה אופיינית
עקומת תגובה ספקטרלית דיאגרמת מעגל פנימי
מידות（מ"מ）
מֵידָע
מזמין מידע
| ROF | BPR | XXX | X | XX |
| סוג מודול זיהוי: BPR—Balanced Photoreveiver | רוחב פס הפעלה: 200M---200MHz | טווח תגובה אורכי גל A--- 850~1650nm | שיטת צימוד: FC |
* אנא צור קשר עם המוכר שלנו אם יש לך דרישות מיוחדות
עלינו
Rofea Optoelectronics מציגה מגוון רחב של מוצרים אלקטרו-אופטיים לרבות מאפננים, גלאי צילום, מקורות לייזר, לייזרים dfb, מגברים אופטיים, EDFAs, לייזרים SLD, אפנון QPSK, לייזרים פולסים, גלאי צילום, גלאי צילום מאוזנים, לייזרים מוליכים למחצה, דרייברים לצמד סיבים, לייזר דרייברים, לייזרים פועמים, מגברי סיבים, מדי כוח אופטיים, לייזרים בפס רחב, לייזרים ניתנים לכיוון, השהיות אופטיות, מאפננים אלקטרו-אופטיים, גלאי פוטו, דרייברים של דיודות לייזר, מגברי סיבים, מגברי סיבים מסוממים בארביום ולייזרי מקור.
אנו מספקים גם מאפננים מותאמים אישית, כולל מאפננים של מערך 1*4, מאפננים Vpi נמוך במיוחד ויחס הכחדה גבוה במיוחד, אשר תוכננו במיוחד עבור אוניברסיטאות ומכוני מחקר.
מוצרים אלה כוללים רוחב פס אלקטרו-אופטי של עד 40 גיגה-הרץ, טווח אורך גל מ-780 ננומטר עד 2000 ננומטר, אובדן הכנסה נמוך, Vp נמוך ו-PER גבוה, מה שהופך אותם למתאימים למגוון קישורי RF אנלוגיים ויישומי תקשורת מהירים.
Rofea Optoelectronics מציעה קו מוצרים של מאפננים אלקטרו-אופטיים מסחריים, מאפננים פאזה, מאפנן אינטנסיביות, גלאי אור, מקורות אור בלייזר, לייזרים DFB, מגברים אופטיים, EDFA, לייזר SLD, אפנון QPSK, לייזר דופק, גלאי אור, גלאי צילום מאוזן, דרייבר לייזר , מגבר סיבים אופטי, מד כוח אופטי, לייזר פס רחב, לייזר מתכוונן, גלאי אופטי, דרייבר דיודות לייזר, מגבר סיבים.אנו מספקים גם מאפננים רבים וספציפיים להתאמה אישית, כגון מאפני פאזה של מערך 1*4, Vpi נמוך במיוחד ומאפננים של יחס הכחדה גבוה במיוחד, המשמשים בעיקר באוניברסיטאות ובמכונים.
מקווה שהמוצרים שלנו יועילו לך ולמחקר שלך.
