מודולטור Rof TFLN מודולטור עוצמה 110G מודולטור ליתיום ניובט סרט דק
תכונה
■ רוחב הפס של תדר הרדיו יכול להגיע עד 110 גיגה-הרץ לכל היותר
■ מתח חצי גל נמוך
■ אובדן הכנסה נמוך עד 5 dB
■ גודל מכשיר קטן
פרמטר C-band
* ניתן להתאמה אישית
** ניתן להתאים אישית יחס הכחדה גבוה (> 25 dB).
| Cקטגוריה | Pאמטר | סֵמֶל | יְחִידָה | מַד |
| ביצועים אופטיים (@ 25°C) | אורך גל עבודה (*) | λ | nm | ~1550 |
| יחס הכחדה אופטי (@ DC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | |
| אובדן החזרה אופטית | ORL | dB | ≤ -27 | |
| אובדן הכנסה אופטי | IL | dB | ערך מקסימלי: 6 ערך טיפוסי: 5 | |
|
ביצועים חשמליים (@ 25°C) | רוחב פס אלקטרו-אופטי של 3 dB (החל מ-2 GHz) | S21 | גיגה-הרץ | ערך מקסימלי:100 ערך טיפוסי:105 |
| מתח חצי גל בתדר רדיו (ב-50 קילוהרץ) | Vπ | V | ≤ 4 | |
| כוח חצי גל מוטה מווסת חום | Pπ | mW | ≤ 50 | |
| אובדן החזרת תדר רדיו | S11 | dB | ≤ -10 | |
| תנאי עבודה | טמפרטורת הפעלה (* | TO | מעלות צלזיוס | -20~70 |
סף הנזק
אם המכשיר חורג מסף הנזק המרבי, הדבר יגרום למכשיר נזק בלתי הפיך, ונזק מסוג זה אינו מכוסה על ידי שירות התחזוקה.
| Pאמטר | סֵמֶל | דקות | מקס | יְחִידָה |
| עוצמת קלט RF | חֵטְא | - | 18 | dBm |
| מתח נדנדה בקלט RF | VPP | -2.5 | +2.5 | V |
| מתח שורש ממוצע ריבועי של קלט RF | Vrms | - | 1.78 | V |
| עוצמת קלט אופטית | פִּין | - | 20 | dBm |
| מתח הטיה תרמי | אוהיט | - | 4.5 | V |
| זרם הטיה תרמי | אי-היימר | - | 50 | mA |
| טמפרטורת אחסון | TS | -40 | 85 | ℃ |
| לחות יחסית (ללא עיבוי) | RH | 5 | 90 |
מידות החבילה והגדרת הפין (יחידה: מ"מ)
הערה: גודל לא מסומן ± 0.15 מ"מ;
הנתונים המסומנים ב- REF. הם ערך ייחוס בלבד.
| N | סֵמֶל | Dתיאור |
| 1 | - | לא מוגדר |
| 2 | - | לא מוגדר |
| 3 | מְחַמֵם | אלקטרודת הטיה תרמוסטטית |
| 4 | מְחַמֵם | אלקטרודת הטיה תרמוסטטית |
| 5 | MPD0+ | ניטור אור מודולטור אנודת PD |
| 6 | MPD0- | ניטור אור של מודולטור קתודה PD |
| RF | מחבר RF | מחבר K באורך 1.0 מ"מ |
| In | סיב אופטי נכנס | FC/APC, PMF |
| הַחוּצָה | סיב אופטי יוצא | FC/APC, PMF |
* מחבר 1.85 מ"מ או מחבר J הניתנים להתאמה אישית.
מדגם בדיקה S21
הגנה מפני פריקה אלקטרוסטטית (ESD)
מוצר זה מכיל רכיב רגיש ל-ESD (MPD) ויש להשתמש בו עם אמצעי ההגנה הנדרשים מפני ESD.
פרטי הזמנה
מספר מוצר: R-TFLN-110G-XX-XX-XX
תיאור מוצר: מודולטור עוצמה של ליתיום ניובט בשכבה דקה בתדר C של 110 גיגה-הרץ.
To purchase this product, inquire about lead times or specific customization options, please contact the Sales Manager or email to: bjrofoc@rof-oc.com
אודותינו
ב-Rofea Optoelectronics, אנו מציעים מגוון רחב של מוצרים אלקטרו-אופטיים שיענו על צרכיכם, כולל מודולטורים מסחריים, מקורות לייזר, גלאי אור, מגברים אופטיים ועוד.
קו המוצרים שלנו מאופיין בביצועים מצוינים, יעילות גבוהה וגמישות. אנו גאים להציע אפשרויות התאמה אישית כדי לענות על בקשות ייחודיות, תוך הקפדה על מפרטים ספציפיים ומתן שירות יוצא דופן ללקוחותינו.
אנו גאים בכך שזכינו בתואר מפעל היי-טק בבייג'ינג בשנת 2016, ותעודות הפטנטים הרבות שלנו מעידות על חוזקנו בתעשייה. המוצרים שלנו פופולריים הן בארץ והן בעולם, כאשר לקוחות משבחים את האיכות העקבית והמעולה שלהם.
ככל שאנו מתקדמים לעבר עתיד הנשלט על ידי טכנולוגיה פוטואלקטרית, אנו שואפים לספק את השירות הטוב ביותר האפשרי וליצור מוצרים חדשניים בשיתוף פעולה אתכם. אנחנו לא יכולים לחכות לשתף פעולה אתכם!
חברת Rofea Optoelectronics מציעה קו מוצרים של מודולטורים אלקטרו-אופטיים מסחריים, מודולטורי פאזה, מודולטורי עוצמה, גלאי אור, מקורות אור לייזר, לייזרי DFB, מגברים אופטיים, EDFA, לייזר SLD, מודולציה QPSK, לייזר דופק, גלאי אור, גלאי אור מאוזן, דרייבר לייזר, מגבר סיבים אופטיים, מד הספק אופטי, לייזר פס רחב, לייזר מתכוונן, גלאי אופטי, דרייבר דיודה לייזר, מגבר סיבים. אנו מספקים גם מודולטורים רבים להתאמה אישית, כגון מודולטורי פאזה במערך 1*4, מודולטורי VPI נמוך במיוחד ומודולטורים בעלי יחס הכחדה גבוה במיוחד, המשמשים בעיקר באוניברסיטאות ובמכונים.
מקווים שהמוצרים שלנו יהיו לעזר לך ולמחקר שלך.
