-
מבוא ללייזר פולט קצה (EEL)
מבוא ללייזר פולט קצה (EEL) על מנת להשיג פלט לייזר מוליך למחצה בעל הספק גבוה, הטכנולוגיה הנוכחית משתמשת במבנה פליטת קצה. המהוד של לייזר המוליך למחצה פולט הקצה מורכב ממשטח הדיסוציאציה הטבעי של גביש המוליך למחצה, וה...קרא עוד -
טכנולוגיית לייזר וופלים אולטרה-מהירה בעלת ביצועים גבוהים
טכנולוגיית לייזר פרוסות אולטרה-מהירה בעלת ביצועים גבוהים לייזרים אולטרה-מהירים בעלי עוצמה גבוהה נמצאים בשימוש נרחב בייצור מתקדם, מידע, מיקרואלקטרוניקה, ביו-רפואה, הגנה לאומית ותחומים צבאיים, ומחקר מדעי רלוונטי חיוני לקידום הטכנולוגיה המדעית והטכנולוגית הלאומית...קרא עוד -
לייזר פולס רנטגן אטו-שניות מסוג TW
לייזר פולס קרני רנטגן אטו-שניות מסוג TW לייזר פולס קרני רנטגן אטו-שניות בעל עוצמה גבוהה ומשך פולס קצר הם המפתח להשגת ספקטרוסקופיה לא ליניארית אולטרה-מהירה והדמיית עקיפת קרני רנטגן. צוות המחקר בארצות הברית השתמש בשרשרת של לייזרי אלקטרונים חופשיים דו-שלביים של קרני רנטגן כדי להפיק...קרא עוד -
מבוא ללייזר מוליך למחצה פולט משטחי חלל אנכי (VCSEL)
מבוא ללייזר מוליך למחצה פולט קרינה חיצונית אנכית (VCSEL) לייזרים פולטי קרינה חיצונית אנכית פותחו באמצע שנות ה-90 כדי להתגבר על בעיה מרכזית שפקדה את פיתוח לייזרים מסורתיים של מוליכים למחצה: כיצד לייצר פלטי לייזר בעלי הספק גבוה עם...קרא עוד -
עירור הרמוניות שניות בספקטרום רחב
עירור הרמוניות שניות בספקטרום רחב. מאז גילוי אפקטים אופטיים לא ליניאריים מסדר שני בשנות ה-60, הדבר עורר עניין רב בקרב חוקרים, עד כה, בהתבסס על ההרמוניה השנייה ואפקטי התדר, נוצרו מפס האולטרה סגול הקיצוני ועד לפס האינפרא אדום הרחוק...קרא עוד -
בקרת אלקטרו-אופטיקה בקיטוב מתממשת על ידי כתיבת לייזר פמטו-שנייה ואפנון גביש נוזלי
בקרת אלקטרו-אופטית בקיטוב מתממשת על ידי כתיבת לייזר פמטו-שנייה ואפנון גביש נוזלי. חוקרים בגרמניה פיתחו שיטה חדשה לבקרת אותות אופטיים על ידי שילוב של כתיבת לייזר פמטו-שנייה ואפנון אלקטרו-אופטי גביש נוזלי. על ידי הטמעת גביש נוזלי...קרא עוד -
שנה את מהירות הפולס של הלייזר האולטרה-קצר והחזק במיוחד
שינוי מהירות הפולס של לייזר אולטרה-קצר סופר-חזק לייזרים אולטרה-קצרים מתייחסים בדרך כלל לפולסי לייזר עם רוחב פולס של עשרות ומאות פמטו-שניות, הספק שיא של טרה-וואט ופטה-וואט, ועוצמת האור הממוקדת שלהם עולה על 1018 וואט/סמ"ר. לייזר אולטרה-קצר סופר ו...קרא עוד -
גלאי פוטו InGaAs של פוטון יחיד
גלאי פוטו InGaAs עם פוטון יחיד עם ההתפתחות המהירה של LiDAR, טכנולוגיית גילוי האור וטכנולוגיית המדידה המשמשות לטכנולוגיית הדמיה אוטומטית של מעקב אחר רכבים דורשת גם כן דרישות גבוהות יותר, הרגישות ורזולוציית הזמן של הגלאי המשמשים בתאורה נמוכה מסורתית...קרא עוד -
מבנה גלאי הפוטואלקטרי InGaAs
מבנה גלאי הפוטו-גלאי InGaAs מאז שנות ה-80, חוקרים בארץ ובחו"ל חקרו את מבנה גלאי הפוטו-גלאי InGaAs, המחולקים בעיקר לשלושה סוגים. הם גלאי הפוטו-גלאי מתכת-מוליך-למחצה-מתכת InGaAs (MSM-PD), גלאי הפוטו-גלאי PIN InGaAs (PIN-PD) וגלאי מפולת שלגים InGaAs...קרא עוד -
מקור אור אולטרה סגול קיצוני בתדר גבוה
מקור אור אולטרה סגול קיצוני בתדר חוזר גבוה טכניקות דחיסה לאחר ההפעלה בשילוב עם שדות דו-צבעוניים מייצרות מקור אור אולטרה סגול קיצוני בעל שטף גבוה עבור יישומי Tr-ARPES, הפחתת אורך הגל של אור המניע והגדלת ההסתברות ליינון גז הן אמצעים יעילים...קרא עוד -
התקדמות בטכנולוגיית מקורות אור אולטרה סגול קיצוני
התקדמות בטכנולוגיית מקורות אור אולטרה סגול קיצוני בשנים האחרונות, מקורות אור אולטרה סגול קיצוני בהרמוניות גבוהות משכו תשומת לב רבה בתחום דינמיקת האלקטרונים בשל הקוהרנטיות החזקה שלהם, משך הפולס הקצר ואנרגיית הפוטון הגבוהה שלהם, והם שימשו במגוון תחומים ספקטרליים ו...קרא עוד -
מודולטור אלקטרו-אופטי משולב גבוה יותר של ליתיום ניובט בשכבה דקה
מודולטור אלקטרו-אופטי ליניאריות גבוהה ויישום פוטונים במיקרוגל. עם הדרישות הגוברות של מערכות תקשורת, על מנת לשפר עוד יותר את יעילות ההעברה של אותות, אנשים ימזגו פוטונים ואלקטרונים כדי להשיג יתרונות משלימים, ופוטונים במיקרוגל...קרא עוד
